3N164 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3N164

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 300 Ohm

Encapsulados: TO72

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3N164 datasheet

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3N164

3N163, 3N164 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Linear Integrated Systems FEATURES VERY HIGH INPUT IMPEDANCE HIGH GATE BREAKDOWN ULTRA LOW LEAKAGE D S FAST SWITCHING G Case LOW CAPACITANCE 3 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1) 1 4 @ 25 C (unless otherwise noted) S D Drain-Source or Drain-Gate Voltage 3N163 -40V G Case 3N164 -30V Transient G-S Voltage (NOTE 1) 125V Drai

Otros transistores... 2SK998, 3N124, 3N125, 3N126, 3N140, 3N141, 3N159, 3N163, P55NF06, 3N169, 3N170, 3N171, 3N175, 3N176, 3N177, 3N187, 3N190