3N164 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 3N164
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 300 Ohm
Тип корпуса: TO72
3N164 Datasheet (PDF)
3n163 3n164.pdf
3N163, 3N164P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEMOSFETLinear Integrated SystemsFEATURESVERY HIGH INPUT IMPEDANCEHIGH GATE BREAKDOWNULTRA LOW LEAKAGED SFAST SWITCHING G CaseLOW CAPACITANCE32ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1)1 4@ 25C (unless otherwise noted)SDDrain-Source or Drain-Gate Voltage3N163 -40VG Case3N164 -30VTransient G-S Voltage (NOTE 1) 125VDrai
Другие MOSFET... 2SK998 , 3N124 , 3N125 , 3N126 , 3N140 , 3N141 , 3N159 , 3N163 , 2SK3878 , 3N169 , 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , 3N190 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918