IXFH6N120 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFH6N120  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm

Encapsulados: TO247

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IXFH6N120 datasheet

 0.1. Size:345K  inchange semiconductor
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IXFH6N120

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFH6N120P FEATURES Drain Current I = 6.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 1200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.75 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and s

 7.1. Size:116K  ixys
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IXFH6N120

VDSS = 1000 V IXFH 6N100Q HiPerFETTM ID25 = 6 A IXFT 6N100Q Power MOSFETs RDS(on) = 1.9 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V VG

 7.2. Size:77K  ixys
 ixfh6n90 ixfh6n100 ixfm6n90 ixfm6n100.pdf pdf_icon

IXFH6N120

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 6 N90 900 V 6 A 1.8 W Power MOSFETs IXFH/IXFM 6 N100 1000 V 6 A 2.0 W trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 6N90 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 6N100 1000 V VGS Continuous 20 V (TAB) VGSM Transient 30 V ID2

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