IXFK120N25 Todos los transistores

 

IXFK120N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFK120N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 568 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264
 

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IXFK120N25 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:123K  ixys
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IXFK120N25

VDSS = 250 VIXFK 120N25PPolarHTTM HiPerFETID25 = 120 AIXFX 120N25PPower MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 250 VTO-264 (IXFK)VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 250 VVGS Continuous

 5.1. Size:395K  ixys
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IXFK120N25

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IXFK120N25

HiPerFETTM IXFX 120N20 VDSS = 200 VIXFK 120N20 ID25 = 120 APower MOSFETsRDS(on) = 17 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 200 VVGS Continuous 20 V (TAB)GVGSM Transient 30 VDI

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History: SI7682DP | GP2M002A060XG

 

 
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