IXFK15N100Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFK15N100Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 357 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1000 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 130 nC
Tiempo de subida (tr): 250 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFK15N100Q
IXFK15N100Q Datasheet (PDF)
ixfh150n15p ixfk150n15p.pdf
IXFH 150N15PPolarHTTM HiPerFETVDSS = 150 VIXFK 150N15PPower MOSFETID25 = 150 A RDS(on) 13 m N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diodetrr 200 nsAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 VVGS Contin
ixfk150n30p3 ixfx150n30p3.pdf
Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFK150N30P3Power MOSFETs ID25 = 150AIXFX150N30P3 RDS(on) 19m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeGDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 300 V TabVDGR TJ = 25C to 150
ixfk150n15 ixfx150n15.pdf
HiPerFETTM IXFK 150N15 VDSS = 150 VIXFX 150N15 ID25 = 150 APower MOSFETsRDS(on) = 12.5 mWSingle MOSFET Dietrr 250 nsPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 150 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 150 VD (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C (MOSFET chip capability) 150
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
