IXFK15N100Q Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFK15N100Q  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: TO264

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IXFK15N100Q datasheet

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IXFK15N100Q

IXFH 150N15P PolarHTTM HiPerFET VDSS = 150 V IXFK 150N15P Power MOSFET ID25 = 150 A RDS(on) 13 m N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode trr 200 ns Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 V VGS Contin

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IXFK15N100Q

Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 300V IXFK150N30P3 Power MOSFETs ID25 = 150A IXFX150N30P3 RDS(on) 19m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V Tab VDGR TJ = 25 C to 150

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 ixfk150n15 ixfx150n15.pdf pdf_icon

IXFK15N100Q

HiPerFETTM IXFK 150N15 VDSS = 150 V IXFX 150N15 ID25 = 150 A Power MOSFETs RDS(on) = 12.5 mW Single MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 150 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 150 V D (TAB) G VGS Continuous 20 V D VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C (MOSFET chip capability) 150

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