IXFK15N100Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFK15N100Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de IXFK15N100Q MOSFET
IXFK15N100Q Datasheet (PDF)
ixfh150n15p ixfk150n15p.pdf
IXFH 150N15PPolarHTTM HiPerFETVDSS = 150 VIXFK 150N15PPower MOSFETID25 = 150 A RDS(on) 13 m N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diodetrr 200 nsAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 VVGS Contin
ixfk150n30p3 ixfx150n30p3.pdf
Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFK150N30P3Power MOSFETs ID25 = 150AIXFX150N30P3 RDS(on) 19m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeGDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 300 V TabVDGR TJ = 25C to 150
ixfk150n15 ixfx150n15.pdf
HiPerFETTM IXFK 150N15 VDSS = 150 VIXFX 150N15 ID25 = 150 APower MOSFETsRDS(on) = 12.5 mWSingle MOSFET Dietrr 250 nsPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 150 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 150 VD (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C (MOSFET chip capability) 150
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History: 3SK51 | BUK7E2R3-40C | BUK7K32-100E | 2N5564
History: 3SK51 | BUK7E2R3-40C | BUK7K32-100E | 2N5564
Liste
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