3N175 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3N175
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 35 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 Vtonⓘ - Tiempo de encendido: 25 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm
Paquete / Cubierta: TO72
Búsqueda de reemplazo de 3N175 MOSFET
3N175 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 3N140 , 3N141 , 3N159 , 3N163 , 3N164 , 3N169 , 3N170 , 3N171 , 7N65 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , 3N190 , 3N191 , 3N200 , 3N201 , 3N202 .
History: FRS140H | JMSL1009PK | JMTK4006A | JMTK100N02A | BUK9506-75B | JMSL1009PUN | JMSL0606AGWQ
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Liste
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