3N175 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3N175

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.225 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 35 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2 V

Tiempo de encendido (ton): 25 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 200 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO72

Otros transistores... 3N140 , 3N141 , 3N159 , 3N163 , 3N164 , 3N169 , 3N170 , 3N171 , IRF150 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , 3N190 , 3N191 , 3N200 , 3N201 , 3N202 .