3N175 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3N175
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 35 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 25 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm
Paquete / Cubierta: TO72
Búsqueda de reemplazo de 3N175 MOSFET
3N175 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 3N140 , 3N141 , 3N159 , 3N163 , 3N164 , 3N169 , 3N170 , 3N171 , IRF9540 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , 3N190 , 3N191 , 3N200 , 3N201 , 3N202 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T | AP100N03P | AP100N03D | AP100N03AD | AP01P10I | APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190
Popular searches
13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet