3N175 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 3N175

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 35 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.05 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время включения (ton): 25 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 200 Ohm

Тип корпуса: TO72

Другие MOSFET... 3N140 , 3N141 , 3N159 , 3N163 , 3N164 , 3N169 , 3N170 , 3N171 , IRF150 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , 3N190 , 3N191 , 3N200 , 3N201 , 3N202 .