3N175 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3N175  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 35 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 25 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm

Тип корпуса: TO72

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 3N175

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N175 даташит

 ..1. Size:137K  1
 3n175 3n176 3n177.pdf pdf_icon

3N175

Другие IGBT... 3N140, 3N141, 3N159, 3N163, 3N164, 3N169, 3N170, 3N171, IRFP250N, 3N176, 3N177, 3N187, 3N190, 3N191, 3N200, 3N201, 3N202