IXFK170N20P Todos los transistores

 

IXFK170N20P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFK170N20P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 185 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXFK170N20P Datasheet (PDF)

 4.1. Size:123K  ixys
 ixfx170n20t ixfk170n20t.pdf pdf_icon

IXFK170N20P

Advance Technical InformationGigaMOSTM VDSS = 200VIXFK170N20TID25 = 170APower MOSFETIXFX170N20T RDS(on) 11m trr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C 200 VD(TAB)SVDGR TJ = 25C to 175C, RGS =

 6.1. Size:144K  ixys
 ixfk170n10 ixfn170n10.pdf pdf_icon

IXFK170N20P

VDSS ID25 RDS(on) trrHiPerFETTMIXFN170N10 100V 170A 10mW 200nsPower MOSFETIXFK170N10 100V 170A 10mW 200nsSingle MOSFET DieTO-264 AA (IXFK)Preliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings IXFK IXFN170N10 170N10GD (TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 100 100 VDSVDGR TJ = 25C to 150C 100 100 VVGS Continuous 20 20 VVGSM Transient 30 30 VminiBLOC, SO

 6.2. Size:142K  ixys
 ixfh170n10p ixfk170n10p.pdf pdf_icon

IXFK170N20P

PolarTM HiperFETTM VDSS = 100VIXFH170N10PID25 = 170APower MOSFETIXFK170N10P RDS(on) 9m trr 150nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 175C 100 V TabSVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 100 VVGSS Conti

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History: IXFK16N90Q

 

 
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