IXFK170N20P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFK170N20P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 185 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFK170N20P
IXFK170N20P Datasheet (PDF)
ixfx170n20t ixfk170n20t.pdf
Advance Technical InformationGigaMOSTM VDSS = 200VIXFK170N20TID25 = 170APower MOSFETIXFX170N20T RDS(on) 11m trr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C 200 VD(TAB)SVDGR TJ = 25C to 175C, RGS =
ixfk170n10 ixfn170n10.pdf
VDSS ID25 RDS(on) trrHiPerFETTMIXFN170N10 100V 170A 10mW 200nsPower MOSFETIXFK170N10 100V 170A 10mW 200nsSingle MOSFET DieTO-264 AA (IXFK)Preliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings IXFK IXFN170N10 170N10GD (TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 100 100 VDSVDGR TJ = 25C to 150C 100 100 VVGS Continuous 20 20 VVGSM Transient 30 30 VminiBLOC, SO
ixfh170n10p ixfk170n10p.pdf
PolarTM HiperFETTM VDSS = 100VIXFH170N10PID25 = 170APower MOSFETIXFK170N10P RDS(on) 9m trr 150nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 175C 100 V TabSVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 100 VVGSS Conti
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Liste
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