3N190 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3N190
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6.5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 300 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO99

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3N190

3N190 Datasheet (PDF)

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3n190 3n191.pdf

Dual P-ChannelEnhancement Mode MOSFETCORPORATIONGeneral Purpose Amplifier3N190 / 3N191FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA = 25oC unless otherwise specified) Very High Input Impedance High Gate Breakdown 3N190-3N191 Drain-Source or Drain-Gate Voltage (Note 1) Low Capacitance 3N190, 3N191 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

Otros transistores... 3N164 , 3N169 , 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 , 3N187 , IRLB4132 , 3N191 , 3N200 , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: