IXFK73N30Q Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFK73N30Q  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 481 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 73 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: TO264

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IXFK73N30Q MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXFK73N30Q datasheet

 5.1. Size:131K  ixys
 ixfk73n30 ixfn73n30.pdf pdf_icon

IXFK73N30Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK 73 N 30 300 V 73 A 45 m Power MOSFETs IXFN 73 N 30 300 V 73 A 45 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFK IXFN

 9.1. Size:100K  ixys
 ixfk72n20 ixfk80n20.pdf pdf_icon

IXFK73N30Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK72N20 200 V 72 A 35 mW Power MOSFETs IXFK80N20 200 V 80 A 30 mW trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V G VGS Continuous 20 V (TAB) D S VGSM Transient 30 V ID25

 9.2. Size:127K  ixys
 ixfx74n50p2 ixfk74n50p2.pdf pdf_icon

IXFK73N30Q

Advance Technical Information PolarP2TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFK74N50P2 Power MOSFET ID25 = 74A IXFX74N50P2 RDS(on) 77m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-264 (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS

 9.3. Size:133K  ixys
 ixfk78n50p3 ixfx78n50p3.pdf pdf_icon

IXFK73N30Q

Preliminary Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFK78N50P3 Power MOSFETs ID25 = 78A IXFX78N50P3 RDS(on) 68m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V Tab VDGR TJ = 25 C

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXFK60N55Q2, IXFK62N25, IXFK64N50P, IXFK64N50Q3, IXFK64N60P, IXFK64N60P3, IXFK64N60Q3, IXFK66N50Q2, IRF9540, IXFK74N50P2, IXFK78N50P3, IXFK80N15Q, IXFK80N50P, IXFK80N50Q3, IXFK80N60P3, IXFK88N20Q, IXFK88N30P