IXFK73N30Q - описание и поиск аналогов

 

IXFK73N30Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFK73N30Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 481 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для IXFK73N30Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK73N30Q даташит

 5.1. Size:131K  ixys
ixfk73n30 ixfn73n30.pdfpdf_icon

IXFK73N30Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK 73 N 30 300 V 73 A 45 m Power MOSFETs IXFN 73 N 30 300 V 73 A 45 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFK IXFN

 9.1. Size:100K  ixys
ixfk72n20 ixfk80n20.pdfpdf_icon

IXFK73N30Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK72N20 200 V 72 A 35 mW Power MOSFETs IXFK80N20 200 V 80 A 30 mW trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V G VGS Continuous 20 V (TAB) D S VGSM Transient 30 V ID25

 9.2. Size:127K  ixys
ixfx74n50p2 ixfk74n50p2.pdfpdf_icon

IXFK73N30Q

Advance Technical Information PolarP2TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFK74N50P2 Power MOSFET ID25 = 74A IXFX74N50P2 RDS(on) 77m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-264 (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS

 9.3. Size:133K  ixys
ixfk78n50p3 ixfx78n50p3.pdfpdf_icon

IXFK73N30Q

Preliminary Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFK78N50P3 Power MOSFETs ID25 = 78A IXFX78N50P3 RDS(on) 68m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V Tab VDGR TJ = 25 C

Другие MOSFET... IXFK60N55Q2 , IXFK62N25 , IXFK64N50P , IXFK64N50Q3 , IXFK64N60P , IXFK64N60P3 , IXFK64N60Q3 , IXFK66N50Q2 , IRF9540 , IXFK74N50P2 , IXFK78N50P3 , IXFK80N15Q , IXFK80N50P , IXFK80N50Q3 , IXFK80N60P3 , IXFK88N20Q , IXFK88N30P .

History: 2SK1298 | IXFA110N15T2 | SCH1330 | SI4403DDY

 

 

 

 

↑ Back to Top
.