Справочник MOSFET. IXFK73N30Q

 

IXFK73N30Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFK73N30Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 481 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для IXFK73N30Q

 

 

IXFK73N30Q Datasheet (PDF)

 5.1. Size:131K  ixys
 ixfk73n30 ixfn73n30.pdf

IXFK73N30Q IXFK73N30Q

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK 73 N 30 300 V 73 A 45 mPower MOSFETsIXFN 73 N 30 300 V 73 A 45 mtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AA (IXFK)TO-264 AA (IXFK)TO-264 AA (IXFK)TO-264 AA (IXFK)TO-264 AA (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXFK IXFN

 9.1. Size:100K  ixys
 ixfk72n20 ixfk80n20.pdf

IXFK73N30Q IXFK73N30Q

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK72N20 200 V 72 A 35 mWPower MOSFETsIXFK80N20 200 V 80 A 30 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 AAVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 VGVGS Continuous 20 V(TAB)DSVGSM Transient 30 VID25

 9.2. Size:127K  ixys
 ixfx74n50p2 ixfk74n50p2.pdf

IXFK73N30Q IXFK73N30Q

Advance Technical InformationPolarP2TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFK74N50P2Power MOSFET ID25 = 74AIXFX74N50P2 RDS(on) 77m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264 (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 150C 500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS

 9.3. Size:133K  ixys
 ixfk78n50p3 ixfx78n50p3.pdf

IXFK73N30Q IXFK73N30Q

Preliminary Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFK78N50P3Power MOSFETs ID25 = 78AIXFX78N50P3 RDS(on) 68m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeGDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 500 V TabVDGR TJ = 25C

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top