IXFK73N30Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFK73N30Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 481 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 73 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 250 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.042 Ohm
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для IXFK73N30Q
IXFK73N30Q Datasheet (PDF)
ixfk73n30 ixfn73n30.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK 73 N 30 300 V 73 A 45 mPower MOSFETsIXFN 73 N 30 300 V 73 A 45 mtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AA (IXFK)TO-264 AA (IXFK)TO-264 AA (IXFK)TO-264 AA (IXFK)TO-264 AA (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXFK IXFN
ixfk72n20 ixfk80n20.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK72N20 200 V 72 A 35 mWPower MOSFETsIXFK80N20 200 V 80 A 30 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 AAVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 VGVGS Continuous 20 V(TAB)DSVGSM Transient 30 VID25
ixfx74n50p2 ixfk74n50p2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Advance Technical InformationPolarP2TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFK74N50P2Power MOSFET ID25 = 74AIXFX74N50P2 RDS(on) 77m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264 (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 150C 500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS
ixfk78n50p3 ixfx78n50p3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Preliminary Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFK78N50P3Power MOSFETs ID25 = 78AIXFX78N50P3 RDS(on) 68m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeGDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 500 V TabVDGR TJ = 25C
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .