IXFK88N20Q Todos los transistores

 

IXFK88N20Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFK88N20Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 481 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFK88N20Q

 

IXFK88N20Q Datasheet (PDF)

 7.1. Size:148K  ixys
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IXFK88N20Q

PolarTM HiPerFETTM VDSS = 300V IXFT88N30P ID25 = 88A Power MOSFET IXFH88N30P RDS(on) 40m IXFK88N30P trr 200ns TO-268 (IXFT) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G Fast Intrinsic Diode S Tab Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247(IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

 7.2. Size:146K  ixys
 ixfh88n30p ixft88n30p ixfk88n30p.pdf pdf_icon

IXFK88N20Q

PolarTM HiPerFETTM VDSS = 300V IXFT88N30P ID25 = 88A Power MOSFET IXFH88N30P RDS(on) 40m IXFK88N30P trr 200ns TO-268 (IXFT) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G Fast Intrinsic Diode S Tab Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247(IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

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IXFK88N20Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK72N20 200 V 72 A 35 mW Power MOSFETs IXFK80N20 200 V 80 A 30 mW trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V G VGS Continuous 20 V (TAB) D S VGSM Transient 30 V ID25

 9.2. Size:70K  ixys
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IXFK88N20Q

IXFH 80N20Q HiPerFETTM VDSS = 200 V IXFK 80N20Q Power MOSFETs ID25 = 80 A IXFT 80N20Q Q-Class RDS(on) = 28 mW trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transi

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