Справочник MOSFET. IXFK88N20Q

 

IXFK88N20Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFK88N20Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 481 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXFK88N20Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK88N20Q Datasheet (PDF)

 7.1. Size:148K  ixys
 ixft88n30p ixfh88n30p ixfk88n30p.pdf pdf_icon

IXFK88N20Q

PolarTM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFT88N30PID25 = 88APower MOSFETIXFH88N30P RDS(on) 40m IXFK88N30Ptrr 200nsTO-268 (IXFT)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic DiodeSTabSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 7.2. Size:146K  ixys
 ixfh88n30p ixft88n30p ixfk88n30p.pdf pdf_icon

IXFK88N20Q

PolarTM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFT88N30PID25 = 88APower MOSFETIXFH88N30P RDS(on) 40m IXFK88N30Ptrr 200nsTO-268 (IXFT)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic DiodeSTabSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 9.1. Size:100K  ixys
 ixfk72n20 ixfk80n20.pdf pdf_icon

IXFK88N20Q

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK72N20 200 V 72 A 35 mWPower MOSFETsIXFK80N20 200 V 80 A 30 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 AAVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 VGVGS Continuous 20 V(TAB)DSVGSM Transient 30 VID25

 9.2. Size:70K  ixys
 ixfh80n20q ixfk80n20q ixft80n20q.pdf pdf_icon

IXFK88N20Q

IXFH 80N20QHiPerFETTMVDSS = 200 VIXFK 80N20QPower MOSFETs ID25 = 80 AIXFT 80N20QQ-Class RDS(on) = 28 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFK66N50Q2 , IXFK73N30Q , IXFK74N50P2 , IXFK78N50P3 , IXFK80N15Q , IXFK80N50P , IXFK80N50Q3 , IXFK80N60P3 , 5N60 , IXFK88N30P , IXFK94N50P2 , IXFK98N50P3 , IXFL100N50P , IXFL30N120P , IXFL32N120P , IXFL34N100 , IXFL36N110P .

History: FXN08S65D | TW7408FN | IRF9613 | MDD1904RH | IXFK80N60P3

 

 
Back to Top

 


 
.