IXFL30N120P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFL30N120P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS264

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IXFL30N120P datasheet

 9.1. Size:116K  ixys
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IXFL30N120P

IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs ID25 = 30 A ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ISOPLUS264TM

Otros transistores... IXFK80N50P, IXFK80N50Q3, IXFK80N60P3, IXFK88N20Q, IXFK88N30P, IXFK94N50P2, IXFK98N50P3, IXFL100N50P, SPP20N60C3, IXFL32N120P, IXFL34N100, IXFL36N110P, IXFL38N100P, IXFL38N100Q2, IXFL39N90, IXFL40N110P, IXFL44N100P