Справочник MOSFET. IXFL30N120P

 

IXFL30N120P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFL30N120P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS264
 

 Аналог (замена) для IXFL30N120P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL30N120P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:116K  ixys
 ixfl34n100.pdf pdf_icon

IXFL30N120P

IXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsID25 = 30 AID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TMISOPLUS264TM

Другие MOSFET... IXFK80N50P , IXFK80N50Q3 , IXFK80N60P3 , IXFK88N20Q , IXFK88N30P , IXFK94N50P2 , IXFK98N50P3 , IXFL100N50P , AON7410 , IXFL32N120P , IXFL34N100 , IXFL36N110P , IXFL38N100P , IXFL38N100Q2 , IXFL39N90 , IXFL40N110P , IXFL44N100P .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.