IXFL32N120P Todos los transistores

 

IXFL32N120P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFL32N120P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS I5PAK
 

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IXFL32N120P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:116K  ixys
 ixfl34n100.pdf pdf_icon

IXFL32N120P

IXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsID25 = 30 AID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TMISOPLUS264TM

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History: IXTM3N80A | PMCXB900UE | STU70N2LH5 | APM2309AC | HGI120N10AL | CHM5506JGP | RSS090P03FU6TB

 

 
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