IXFN102N30P Todos los transistores

 

IXFN102N30P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFN102N30P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 570 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXFN102N30P Datasheet (PDF)

 8.1. Size:99K  ixys
 ixfn100n10s1-s2-s3.pdf pdf_icon

IXFN102N30P

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFN 100N10S1VDSS = 100 VIXFN 100N10S2with Schottky DiodesID25 = 100 AIXFN 100N10S3RDS(on) = 15 mm~~I=_=C==_=`~=pjmpI=mc`=C=j=`=`S2QEaFQEaFS1 S3QEaFPEhFNEdFNEdFNEdFPE^FOEpFOEpFOIPEpFSymbol Test Conditions Maximum Rati

 8.2. Size:111K  ixys
 ixfk90n20 ixfn100n20 ixfn106n20.pdf pdf_icon

IXFN102N30P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK 90 N 20 200 V 90 A 23 mWPower MOSFETsIXFN 100 N 20 200 V 100 A 23 mWIXFN 106 N 20 200 V 106 A 20 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 AA (IXFK)IXFK IXFN IXFN90N20 100N20 106N20VDSS TJ = 25C to 150C 200 200 200 VG (TAB)VDGR TJ = 25C t

 8.3. Size:70K  ixys
 ixfn100n25.pdf pdf_icon

IXFN102N30P

Advanced Technical InformationHiPerFETTM IXFN 100N25 VDSS = 250 VID25 = 100 APower MOSFETsSingle MOSFET Die RDS(on) = 27 mWtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)Symbol Test Conditions Maximum RatingsE153432VDSS TJ = 25C to 150C 250 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 250 VGVGS Continuous 20 V

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 ixfn100n50p.pdf pdf_icon

IXFN102N30P

IXFN 100N50PVDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 90 APower MOSFET RDS(on) 49 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VSGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500

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History: AP3N7R2MT | MTN50N06E3 | CPC3730 | 2SK3462 | SSFT4004 | SM3116NAF | IPI051N15N5

 

 
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