IXFN180N25T Todos los transistores

 

IXFN180N25T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFN180N25T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 900 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 164 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0129 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFN180N25T

 

IXFN180N25T Datasheet (PDF)

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IXFN180N25T

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IXFN180N25T

HiPerFETTM IXFN 180N20 VDSS = 200 V Power MOSFETs ID25 = 180 A Single Die MOSFET RDS(on) = 10 mW D trr

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IXFN180N25T

VDSS = 150 V IXFN 180N15P PolarHTTM HiPerFET ID25 = 150 A Power MOSFET RDS(on) 11 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V S VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 15

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IXFN180N25T

IXFN 180N10 VDSS = 100 V HiPerFETTM ID25 = 180 A Power MOSFET RDS(on) = 8 m Single MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 100 V G VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V S ID

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