IXFN180N25T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFN180N25T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 900 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 164 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 345 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0129 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFN180N25T

IXFN180N25T Datasheet (PDF)

..1. Size:143K ixys
ixfn180n25t.pdf

Advance Technical InformationGigaMOSTM VDSS = 250VIXFN180N25TID25 = 155APower MOSFET RDS(on) 12.9m trr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedminiBLOC, SOT-227Fast Intrinsic DiodeE153432SSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

5.1. Size:71K ixys
ixfn180n20.pdf

HiPerFETTMIXFN 180N20 VDSS = 200 VPower MOSFETsID25 = 180 ASingle Die MOSFET RDS(on) = 10 mWDtrr

6.1. Size:152K ixys
ixfn180n15p.pdf

VDSS = 150 VIXFN 180N15PPolarHTTM HiPerFETID25 = 150 APower MOSFET RDS(on) 11 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche Ratedtrr 200 nsFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VSVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 15

6.2. Size:84K ixys
ixfn180n10.pdf

IXFN 180N10 VDSS = 100 VHiPerFETTMID25 = 180 APower MOSFETRDS(on) = 8 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 100 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 100 VGVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VSID

6.3. Size:190K ixys
ixfn180n07 ixfn200n07 ixfn200n06.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mWPower MOSFETsIXFN 180 N07 70 V 180 A 7 mWIXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mWN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrtrr 250 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C N07 70 VN06 60 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW N07 70 VGN06

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: