IXFN180N25T - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFN180N25T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFN180N25T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 900 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 164 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0129 Ohm
   Тип корпуса: SOT227

 Аналог (замена) для IXFN180N25T

 

IXFN180N25T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  ixys
 ixfn180n25t.pdf pdf_icon

IXFN180N25T

 5.1. Size:71K  ixys
 ixfn180n20.pdf pdf_icon

IXFN180N25T

HiPerFETTM IXFN 180N20 VDSS = 200 V Power MOSFETs ID25 = 180 A Single Die MOSFET RDS(on) = 10 mW D trr

 6.1. Size:152K  ixys
 ixfn180n15p.pdf pdf_icon

IXFN180N25T

VDSS = 150 V IXFN 180N15P PolarHTTM HiPerFET ID25 = 150 A Power MOSFET RDS(on) 11 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V S VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 15

 6.2. Size:84K  ixys
 ixfn180n10.pdf pdf_icon

IXFN180N25T

IXFN 180N10 VDSS = 100 V HiPerFETTM ID25 = 180 A Power MOSFET RDS(on) = 8 m Single MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 100 V G VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V S ID

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFN110N60P3 , IXFN132N50P3 , IXFN140N20P , IXFN140N25T , IXFN140N30P , IXFN160N30T , IXFN170N30P , IXFN180N15P , IRF2807 , IXFN200N10P , IXFN20N120 , IXFN20N120P , IXFN210N20P , IXFN21N100Q , IXFN22N120 , IXFN230N20T , IXFN23N100 .

 

 
Back to Top

 


 
.