IXFN180N25T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFN180N25T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 900 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 164 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0129 Ohm

Тип корпуса: SOT227

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFN180N25T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFN180N25T даташит

 ..1. Size:143K  ixys
 ixfn180n25t.pdf pdf_icon

IXFN180N25T

 5.1. Size:71K  ixys
 ixfn180n20.pdf pdf_icon

IXFN180N25T

HiPerFETTM IXFN 180N20 VDSS = 200 V Power MOSFETs ID25 = 180 A Single Die MOSFET RDS(on) = 10 mW D trr

 6.1. Size:152K  ixys
 ixfn180n15p.pdf pdf_icon

IXFN180N25T

VDSS = 150 V IXFN 180N15P PolarHTTM HiPerFET ID25 = 150 A Power MOSFET RDS(on) 11 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V S VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 15

 6.2. Size:84K  ixys
 ixfn180n10.pdf pdf_icon

IXFN180N25T

IXFN 180N10 VDSS = 100 V HiPerFETTM ID25 = 180 A Power MOSFET RDS(on) = 8 m Single MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 100 V G VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V S ID

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFN110N60P3, IXFN132N50P3, IXFN140N20P, IXFN140N25T, IXFN140N30P, IXFN160N30T, IXFN170N30P, IXFN180N15P, IRF2807, IXFN200N10P, IXFN20N120, IXFN20N120P, IXFN210N20P, IXFN21N100Q, IXFN22N120, IXFN230N20T, IXFN23N100