IXFN20N120P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFN20N120P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 595 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.57 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227B

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFN20N120P

IXFN20N120P Datasheet (PDF)

8.1. Size:203K ixys
ixfn200n06.pdf

!VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mWPower MOSFETsIXFN 180 N07 70 V 180 A 7 mWIXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mWN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrtrr 250 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150

8.2. Size:94K ixys
ixfn200n06 ixfn200n07.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mPower MOSFETsIXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, High dv/dt, Low trrSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C N07 70 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS

8.3. Size:190K ixys
ixfn180n07 ixfn200n07 ixfn200n06.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mWPower MOSFETsIXFN 180 N07 70 V 180 A 7 mWIXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mWN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrtrr 250 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C N07 70 VN06 60 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW N07 70 VGN06

8.4. Size:86K ixys
ixfn200n10p.pdf

VDSS = 100 VIXFN 200N10PPolarTM HiPerFETID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement Modetrr 150 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)Symbol Test Conditions Maximum RatingsE153432SVDSS TJ = 25C to 175C 100 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGS C

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: