IXFN20N120P Todos los transistores

 

IXFN20N120P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFN20N120P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 595 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.57 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227B
 

 Búsqueda de reemplazo de IXFN20N120P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXFN20N120P Datasheet (PDF)

 8.1. Size:203K  ixys
ixfn200n06.pdf pdf_icon

IXFN20N120P

!VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mWPower MOSFETsIXFN 180 N07 70 V 180 A 7 mWIXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mWN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrtrr 250 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150

 8.2. Size:94K  ixys
ixfn200n06 ixfn200n07.pdf pdf_icon

IXFN20N120P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mPower MOSFETsIXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, High dv/dt, Low trrSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C N07 70 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS

 8.3. Size:190K  ixys
ixfn180n07 ixfn200n07 ixfn200n06.pdf pdf_icon

IXFN20N120P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mWPower MOSFETsIXFN 180 N07 70 V 180 A 7 mWIXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mWN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrtrr 250 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C N07 70 VN06 60 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW N07 70 VGN06

 8.4. Size:86K  ixys
ixfn200n10p.pdf pdf_icon

IXFN20N120P

VDSS = 100 VIXFN 200N10PPolarTM HiPerFETID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement Modetrr 150 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)Symbol Test Conditions Maximum RatingsE153432SVDSS TJ = 25C to 175C 100 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGS C

Otros transistores... IXFN140N25T , IXFN140N30P , IXFN160N30T , IXFN170N30P , IXFN180N15P , IXFN180N25T , IXFN200N10P , IXFN20N120 , IRF830 , IXFN210N20P , IXFN21N100Q , IXFN22N120 , IXFN230N20T , IXFN23N100 , IXFN240N15T2 , IXFN24N100F , IXFN26N100P .

History: PHD9NQ20T | LNC06R230 | FHU2N60A | BUK9Y30-75B

 

 
Back to Top

 


 
.