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IXFN20N120P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFN20N120P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 595 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.57 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227B

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFN20N120P

 

IXFN20N120P Datasheet (PDF)

 8.1. Size:94K  ixys
 ixfn200n06 ixfn200n07.pdf pdf_icon

IXFN20N120P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFN 200 N06 60 V 200 A 6 m Power MOSFETs IXFN 200 N07 70 V 200 A 6 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C N07 70 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS

 8.2. Size:190K  ixys
 ixfn180n07 ixfn200n07 ixfn200n06.pdf pdf_icon

IXFN20N120P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mW Power MOSFETs IXFN 180 N07 70 V 180 A 7 mW IXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mW N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr trr 250 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C N07 70 V N06 60 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW N07 70 V G N06

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 ixfn200n10p.pdf pdf_icon

IXFN20N120P

VDSS = 100 V IXFN 200N10P PolarTM HiPerFET ID25 = 200 A Power MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement Mode trr 150 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 S VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V G VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 V VGS C

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