IXFN20N120P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXFN20N120P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 595 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.57 Ohm
Тип корпуса: SOT227B
Аналог (замена) для IXFN20N120P
IXFN20N120P Datasheet (PDF)
ixfn200n06.pdf

!VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mWPower MOSFETsIXFN 180 N07 70 V 180 A 7 mWIXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mWN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrtrr 250 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150
ixfn200n06 ixfn200n07.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mPower MOSFETsIXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, High dv/dt, Low trrSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C N07 70 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS
ixfn180n07 ixfn200n07 ixfn200n06.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mWPower MOSFETsIXFN 180 N07 70 V 180 A 7 mWIXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mWN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrtrr 250 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C N07 70 VN06 60 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW N07 70 VGN06
ixfn200n10p.pdf

VDSS = 100 VIXFN 200N10PPolarTM HiPerFETID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement Modetrr 150 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)Symbol Test Conditions Maximum RatingsE153432SVDSS TJ = 25C to 175C 100 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGS C
Другие MOSFET... IXFN140N25T , IXFN140N30P , IXFN160N30T , IXFN170N30P , IXFN180N15P , IXFN180N25T , IXFN200N10P , IXFN20N120 , IRF830 , IXFN210N20P , IXFN21N100Q , IXFN22N120 , IXFN230N20T , IXFN23N100 , IXFN240N15T2 , IXFN24N100F , IXFN26N100P .
History: IRFS4228PBF | AFN1912
History: IRFS4228PBF | AFN1912



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327