IXFN340N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFN340N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 700 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 340 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 600 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227B

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFN340N06

IXFN340N06 Datasheet (PDF)

5.1. Size:104K ixys
ixfn340n07.pdf

HiPerFETTMIXFN 340N07 VDSS = 70 VPower MOSFETsID25 = 340 ASingle Die MOSFET RDS(on) = 4 mD trr 200 ns N-Channel Enhancement ModeGAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSSSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C70 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 70 VGVGS Co

8.1. Size:128K ixys
ixfn34n80.pdf

HiPerFETTM Power MOSFETsIXFN 34N80 VDSS = 800 VSingle DieMOSFETID25 = 34 ARDS(on) = 0.24 WN-Channel Enhancement Mode DAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrtrr 250 nsPreliminary data sheetSSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 BE153432VDSS TJ = 25C to 150C 800 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 VGVGS Continuous 20 VVGSM Transi

8.2. Size:570K ixys
ixfn34n100.pdf

IXFN 34N100 VDSS = 1000VHiPerFETTMID25 = 34APower MOSFETsRDS(on) = 0.28Single Die MOSFETDN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trr GSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VGVGS Continuous 20 VVGSM Tran

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Liste

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