IXFN48N60P Todos los transistores

 

IXFN48N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFN48N60P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 150 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227B

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IXFN48N60P Datasheet (PDF)

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IXFN48N60P
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IXFN 48N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 40 APower MOSFET RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VE153432SVGSS Cont

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IXFN48N60P
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VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

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ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf

IXFN48N60P
IXFN48N60P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

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ixfn44n50u2-u3 ixfn48n50u2-u3.pdf

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VDSS ID (cont) RDS(on) trrHiPerFETTM500 V 44 A 0.12 W 35 nsIXFN44N50U2 IXFN44N50U3Power MOSFETsIXFN48N50U2 IXFN48N50U3 500 V 48 A 0.10 W 35 ns3 3Buck & Boost Configurations forPFC & Motor Control Circuits422Preliminary data411miniBLOC, SOT-227 BSymbol Test Conditions Maximum Ratings1VDSS TJ = 25C to 150C 500 V2VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 5

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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