IXFN48N60P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFN48N60P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: SOT227B

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IXFN48N60P datasheet

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IXFN48N60P

IXFN 48N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 40 A Power MOSFET RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V E153432 S VGSS Cont

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IXFN48N60P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

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IXFN48N60P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

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IXFN48N60P

VDSS ID (cont) RDS(on) trr HiPerFETTM 500 V 44 A 0.12 W 35 ns IXFN44N50U2 IXFN44N50U3 Power MOSFETs IXFN48N50U2 IXFN48N50U3 500 V 48 A 0.10 W 35 ns 3 3 Buck & Boost Configurations for PFC & Motor Control Circuits 4 2 2 Preliminary data 4 1 1 miniBLOC, SOT-227 B Symbol Test Conditions Maximum Ratings 1 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V 2 VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 5

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