Справочник MOSFET. IXFN48N60P

 

IXFN48N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFN48N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B
 

 Аналог (замена) для IXFN48N60P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFN48N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  ixys
 ixfn48n60p.pdf pdf_icon

IXFN48N60P

IXFN 48N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 40 APower MOSFET RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VE153432SVGSS Cont

 7.1. Size:162K  ixys
 ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf pdf_icon

IXFN48N60P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

 7.2. Size:108K  ixys
 ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf pdf_icon

IXFN48N60P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

 7.3. Size:151K  ixys
 ixfn44n50u2-u3 ixfn48n50u2-u3.pdf pdf_icon

IXFN48N60P

VDSS ID (cont) RDS(on) trrHiPerFETTM500 V 44 A 0.12 W 35 nsIXFN44N50U2 IXFN44N50U3Power MOSFETsIXFN48N50U2 IXFN48N50U3 500 V 48 A 0.10 W 35 ns3 3Buck & Boost Configurations forPFC & Motor Control Circuits422Preliminary data411miniBLOC, SOT-227 BSymbol Test Conditions Maximum Ratings1VDSS TJ = 25C to 150C 500 V2VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFN44N100P , IXFN44N100Q3 , IXFN44N50Q , IXFN44N80P , IXFN44N80Q3 , IXFN48N50Q , IXFN48N50U2 , IXFN48N55 , IRF630 , IXFN50N80Q2 , IXFN520N075T2 , IXFN52N90P , IXFN56N90P , IXFN60N80P , IXFN62N80Q3 , IXFN64N50P , IXFN64N50PD2 .

History: JCS3N80R

 

 
Back to Top

 


 
.