IXFN48N60P - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFN48N60P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFN48N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXFN48N60P

 

IXFN48N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  ixys
 ixfn48n60p.pdf pdf_icon

IXFN48N60P

IXFN 48N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 40 A Power MOSFET RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V E153432 S VGSS Cont

 7.1. Size:162K  ixys
 ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf pdf_icon

IXFN48N60P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

 7.2. Size:108K  ixys
 ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf pdf_icon

IXFN48N60P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

 7.3. Size:151K  ixys
 ixfn44n50u2-u3 ixfn48n50u2-u3.pdf pdf_icon

IXFN48N60P

VDSS ID (cont) RDS(on) trr HiPerFETTM 500 V 44 A 0.12 W 35 ns IXFN44N50U2 IXFN44N50U3 Power MOSFETs IXFN48N50U2 IXFN48N50U3 500 V 48 A 0.10 W 35 ns 3 3 Buck & Boost Configurations for PFC & Motor Control Circuits 4 2 2 Preliminary data 4 1 1 miniBLOC, SOT-227 B Symbol Test Conditions Maximum Ratings 1 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V 2 VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFN44N100P , IXFN44N100Q3 , IXFN44N50Q , IXFN44N80P , IXFN44N80Q3 , IXFN48N50Q , IXFN48N50U2 , IXFN48N55 , IRF640N , IXFN50N80Q2 , IXFN520N075T2 , IXFN52N90P , IXFN56N90P , IXFN60N80P , IXFN62N80Q3 , IXFN64N50P , IXFN64N50PD2 .

 

 
Back to Top

 


 
.