IXFN50N80Q2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFN50N80Q2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1135 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 260 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFN50N80Q2

IXFN50N80Q2 Datasheet (PDF)

7.1. Size:121K ixys
ixfk50n50 ixfn50n50 ixfk55n50 ixfn55n50.pdf

VDSS ID25 RDS(on) trrHiPerFETTMPower MOSFET IXFN 55N50 500V 55A 80m 250nsIXFN 50N50 500V 50A 100m 250nsIXFK 55N50 500V 55A 80m 250nsSingle Die MOSFETIXFK 50N50 500V 50A 100m 250nsPreliminary data sheetTO-264 AA (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFNIXFK IXFK IXFN55N50 50N50 55N50 50N50VDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C to 150C

9.1. Size:577K ixys
ixfk55n50 ixfx55n50 ixfn55n50.pdf

VDSS = 500 VIXFK 55N50HiPerFETTMID25 = 55 AIXFX 55N50Power MOSFETRDS(on) = 90mIXFN 55N50 250 nstrr Single Die MOSFETSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS247(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C 500 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)GCID25 TC = 25C55 AEIDM TC = 2

9.2. Size:104K ixys
ixfn55n50f.pdf

Advance Technical InformationHiPerRFTM IXFN 55N50F VDSS = 500 VPower MOSFETs ID25 = 55 AF-Class: MegaHertz SwitchingRDS(on) = 85 mDN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RGgHigh dV/dt, Low trrSSSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 BE153432VDSS TJ = 25C to

9.3. Size:113K ixys
ixfn52n90p.pdf

Preliminary Technical InformationPolarTM Power MOSFET VDSS = 900VIXFN52N90PID25 = 43AHiPerFETTM RDS(on) 160m N-Channel Enhancement Modetrr 300nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeminiBLOC, SOT-227Symbol Test Conditions Maximum RatingsE153432SVDSS TJ = 25C to 150C 900 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: