IXFN66N50Q2 Todos los transistores

 

IXFN66N50Q2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFN66N50Q2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 735 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227B

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFN66N50Q2

 

IXFN66N50Q2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:148K  ixys
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IXFN66N50Q2

VDSS = 600 V IXFN 64N60P PolarHVTM HiPerFET ID25 = 50 A Power MOSFET RDS(on) 96 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V S

 9.2. Size:145K  ixys
 ixfn60n80p.pdf pdf_icon

IXFN66N50Q2

IXFN 60N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 53 A Power MOSFET RDS(on) 140 m trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V S G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M

 9.3. Size:71K  ixys
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IXFN66N50Q2

 9.4. Size:144K  ixys
 ixfn64n50p.pdf pdf_icon

IXFN66N50Q2

IXFN 64N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 61 A Power MOSFET RDS(on) 85 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V G

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