IXFN66N50Q2 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFN66N50Q2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFN66N50Q2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B
 

 Аналог (замена) для IXFN66N50Q2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFN66N50Q2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:148K  ixys
 ixfn64n60p.pdf pdf_icon

IXFN66N50Q2

VDSS = 600 VIXFN 64N60PPolarHVTM HiPerFETID25 = 50 APower MOSFET RDS(on) 96 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432SSymbol Test Conditions Maximum Ratings GVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VS

 9.2. Size:145K  ixys
 ixfn60n80p.pdf pdf_icon

IXFN66N50Q2

IXFN 60N80PVDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 53 APower MOSFET RDS(on) 140 m trr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VSGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M

 9.3. Size:71K  ixys
 ixfn60n60.pdf pdf_icon

IXFN66N50Q2

IXFN 60N60HiPerFETTM VDSS = 600 VID25 = 60 APower MOSFETsRDS(on) = 75 mWSingle Die MOSFETDN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrGPreliminary dataSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 600 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 VGVGS Continuous 20 VVGSM Transient

 9.4. Size:144K  ixys
 ixfn64n50p.pdf pdf_icon

IXFN66N50Q2

IXFN 64N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 61 APower MOSFET RDS(on) 85 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VSVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFN52N90P , IXFN56N90P , IXFN60N80P , IXFN62N80Q3 , IXFN64N50P , IXFN64N50PD2 , IXFN64N50PD3 , IXFN64N60P , AON7408 , IXFN70N60Q2 , IXFN72N55Q2 , IXFN73N30Q , IXFN80N48 , IXFN80N50P , IXFN80N50Q2 , IXFN80N50Q3 , IXFN80N60P3 .

History: HM75N07K | HM75N06

 

 
Back to Top

 


 
.