IXFN72N55Q2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFN72N55Q2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 72 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227B

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFN72N55Q2

IXFN72N55Q2 Datasheet (PDF)

..1. Size:560K ixys
ixfn72n55q2.pdf

HiPerFETTMVDSS = 550 VIXFN 72N55Q2Power MOSFETID25 = 72 ARDS(on)= 72 mN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RgHigh dV/dt, Low trrPreliminary Data SheetminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432SSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 550 VVDGR TJ = 25C to 150

9.1. Size:566K ixys
ixfn70n60q2.pdf

HiPerFETTMVDSS = 600 VIXFN 70N60Q2Power MOSFETID25 = 70 ARDS(on)= 80 mN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RgHigh dV/dt, Low trrPreliminary Data SheetminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432SSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150

9.2. Size:131K ixys
ixfk73n30 ixfn73n30.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK 73 N 30 300 V 73 A 45 mPower MOSFETsIXFN 73 N 30 300 V 73 A 45 mtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AA (IXFK)TO-264 AA (IXFK)TO-264 AA (IXFK)TO-264 AA (IXFK)TO-264 AA (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXFK IXFN

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Liste

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