IXFN80N50P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFN80N50P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 700 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227B

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFN80N50P

IXFN80N50P Datasheet (PDF)

..1. Size:157K ixys
ixfn80n50p.pdf

IXFN 80N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 66 APower MOSFET RDS(on) 65 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VS

5.1. Size:572K ixys
ixfn80n50.pdf

IXFN 80N50 VDSS = 500 VHiPerFETTMID25 = 80 APower MOSFETsRDS(on) = 55 mSingle Die MOSFETD trr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrGSSSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 500 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VG

9.1. Size:152K ixys
ixfn82n60p.pdf

IXFN 82N60PVDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 82 APower MOSFET RDS(on) 75 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VSGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: