IXFP05N100M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFP05N100M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros