IXFP05N100M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFP05N100M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 17 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFP05N100M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP05N100M даташит

No data!

Другие IGBT... IXFN73N30Q, IXFN80N48, IXFN80N50P, IXFN80N50Q2, IXFN80N50Q3, IXFN80N60P3, IXFN82N60P, IXFN82N60Q3, AO3401, IXFP102N15T, IXFP10N60P, IXFP10N80P, IXFP110N15T2, IXFP12N50P, IXFP12N50PM, IXFP130N10T, IXFP130N10T2