IXFP22N60P3 Todos los transistores

 

IXFP22N60P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFP22N60P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXFP22N60P3 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:136K  ixys
 ixfp22n65x2m.pdf pdf_icon

IXFP22N60P3

Preliminary Technical InformationX2-Class HiperFETTM VDSS = 650VIXFP22N65X2MPower MOSFET ID25 = 22A RDS(on) 145m (Electrically Isolated Tab)OVERMOLDEDN-Channel Enhancement ModeTO-220Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VGIsolated TabDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VSVGSS Conti

 6.2. Size:336K  ixys
 ixfa22n65x2 ixfp22n65x2 ixfh22n65x2.pdf pdf_icon

IXFP22N60P3

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA22N65X2Power MOSFET ID25 = 22AIXFP22N65X2 RDS(on) 145m IXFH22N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)TO-220 (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGSM T

 6.3. Size:168K  ixys
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IXFP22N60P3

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA22N65X2Power MOSFET ID25 = 22AIXFP22N65X2 RDS(on) 160m IXFH22N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to

 6.4. Size:203K  inchange semiconductor
 ixfp22n65x2m.pdf pdf_icon

IXFP22N60P3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFP22N65X2MFEATURESWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VDSSV G

MOSTRAR MÁS

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History: 2N6800SM | BLM05N03-D

 

 
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