Справочник MOSFET. IXFP22N60P3

 

IXFP22N60P3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFP22N60P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IXFP22N60P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP22N60P3 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:136K  ixys
 ixfp22n65x2m.pdf pdf_icon

IXFP22N60P3

Preliminary Technical InformationX2-Class HiperFETTM VDSS = 650VIXFP22N65X2MPower MOSFET ID25 = 22A RDS(on) 145m (Electrically Isolated Tab)OVERMOLDEDN-Channel Enhancement ModeTO-220Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VGIsolated TabDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VSVGSS Conti

 6.2. Size:336K  ixys
 ixfa22n65x2 ixfp22n65x2 ixfh22n65x2.pdf pdf_icon

IXFP22N60P3

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA22N65X2Power MOSFET ID25 = 22AIXFP22N65X2 RDS(on) 145m IXFH22N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)TO-220 (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGSM T

 6.3. Size:168K  ixys
 ixfa22n65x2 ixfh22n65x2 ixfp22n65x2.pdf pdf_icon

IXFP22N60P3

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA22N65X2Power MOSFET ID25 = 22AIXFP22N65X2 RDS(on) 160m IXFH22N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to

 6.4. Size:203K  inchange semiconductor
 ixfp22n65x2m.pdf pdf_icon

IXFP22N60P3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFP22N65X2MFEATURESWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VDSSV G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFP110N15T2 , IXFP12N50P , IXFP12N50PM , IXFP130N10T , IXFP130N10T2 , IXFP14N60P , IXFP16N50P , IXFP180N10T2 , AON7506 , IXFP230N075T2 , IXFP3N120 , IXFP3N50PM , IXFP3N80 , IXFP4N100P , IXFP4N100PM , IXFP4N100Q , IXFP4N100QM .

History: FXN30S55F | PV501BA | IRFY9140CM

 

 
Back to Top

 


 
.