IXFP4N100P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFP4N100P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.3 Ohm

Encapsulados: TO220

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IXFP4N100P datasheet

 8.1. Size:163K  ixys
 ixfa4n60p3 ixfp4n60p3 ixfy4n60p3.pdf pdf_icon

IXFP4N100P

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFY4N60P3 Power MOSFETs ID25 = 4A IXFA4N60P3 RDS(on) 2.2 IXFP4N60P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RG

Otros transistores... IXFP14N60P, IXFP16N50P, IXFP180N10T2, IXFP22N60P3, IXFP230N075T2, IXFP3N120, IXFP3N50PM, IXFP3N80, AON7506, IXFP4N100PM, IXFP4N100Q, IXFP4N100QM, IXFP5N100P, IXFP5N50PM, IXFP6N120P, IXFP76N15T2, IXFP7N100P