IXFP7N80P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFP7N80P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.44 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFP7N80P

IXFP7N80P Datasheet (PDF)

8.1. Size:159K ixys
ixfa7n60p3 ixfp7n60p3.pdf

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA7N60P3Power MOSFETs ID25 = 7AIXFP7N60P3 RDS(on) 1.15 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 600 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 600 VTO-220AB

9.1. Size:184K ixys
ixfp72n20x3m.pdf

Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 200VIXFP72N20X3MPower MOSFET ID25 = 72A RDS(on) 20m (Electrically Isolated Tab)OVERMOLDEDTO-220N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGIsolated TabDSVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VG = Gate D

9.2. Size:180K ixys
ixfa76n15t2 ixfp76n15t2.pdf

Advance Technical InformationTrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 150VIXFA76N15T2ID25 = 76APower MOSFETIXFP76N15T2 RDS(on) 20m N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated TO-263 AA (IXFA)Fast Intrnsic RectifierGSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (TAB)VDSS TJ = 25C to 175C 150 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M

9.3. Size:254K inchange semiconductor
ixfp72n20x3m.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFP72N20X3MFEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: