IXFP8N50PM Todos los transistores

 

IXFP8N50PM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFP8N50PM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de IXFP8N50PM MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXFP8N50PM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  ixys
 ixfp8n50pm.pdf pdf_icon

IXFP8N50PM

Preliminary Technical InformationIXFP 8N50PM VDSS = 500 VPolarHVTMHiPerFETID25 = 4.4 APower MOSFET RDS(on) 0.8 (Electrically Isolated Tab)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeOVERMOLDED TO-220Symbol Test Conditions Maximum Ratings(IXTP...M) OUTLINEVDSS TJ = 25 C to

 5.1. Size:160K  ixys
 ixfa8n50p3 ixfp8n50p3.pdf pdf_icon

IXFP8N50PM

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFA8N50P3Power MOSFETs ID25 = 8AIXFP8N50P3 RDS(on) 800m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 8.1. Size:368K  ixys
 ixfa8n85xhv ixfp8n85x ixfq8n85x.pdf pdf_icon

IXFP8N50PM

PreliminaryTechnical InformationX-Class HiPERFET VDSS = 850VIXFA8N85XHVPower MOSFET ID25 = 8AIXFP8N85X RDS(on) 850m IXFQ8N85XN-Channel Enhancement ModeTO-263HV (IXFA)GSD (Tab)TO-220 (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 850 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VVGSS Continuous

 9.1. Size:245K  ixys
 ixfa80n25x3 ixfp80n25x3 ixfq80n25x3 ixfh80n25x3.pdf pdf_icon

IXFP8N50PM

Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 250VIXFA80N25X3Power MOSFET ID25 = 80AIXFP80N25X3 RDS(on) 16m IXFQ80N25X3TO-263 AA (IXFA)IXFH80N25X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGSFast Intrinsic DiodeD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25 C to 150 C250D S D (Tab)VTO-3P (IXFQ)VDGR

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXFP4N100QM , IXFP5N100P , IXFP5N50PM , IXFP6N120P , IXFP76N15T2 , IXFP7N100P , IXFP7N80P , IXFP7N80PM , 13N50 , IXFQ10N80P , IXFQ12N80P , IXFQ14N80P , IXFQ22N60P3 , IXFQ24N50P2 , IXFQ28N60P3 , IXFQ50N60P3 , IXFQ60N50P3 .

 

 
Back to Top

 


 
.