IXFP8N50PM - описание и поиск аналогов

 

IXFP8N50PM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFP8N50PM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXFP8N50PM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP8N50PM даташит

 ..1. Size:106K  ixys
ixfp8n50pm.pdfpdf_icon

IXFP8N50PM

Preliminary Technical Information IXFP 8N50PM VDSS = 500 V PolarHVTMHiPerFET ID25 = 4.4 A Power MOSFET RDS(on) 0.8 (Electrically Isolated Tab) trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode OVERMOLDED TO-220 Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXTP...M) OUTLINE VDSS TJ = 25 C to

 5.1. Size:160K  ixys
ixfa8n50p3 ixfp8n50p3.pdfpdf_icon

IXFP8N50PM

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFA8N50P3 Power MOSFETs ID25 = 8A IXFP8N50P3 RDS(on) 800m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V TO-220AB (IXFP) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

 8.1. Size:368K  ixys
ixfa8n85xhv ixfp8n85x ixfq8n85x.pdfpdf_icon

IXFP8N50PM

PreliminaryTechnical Information X-Class HiPERFET VDSS = 850V IXFA8N85XHV Power MOSFET ID25 = 8A IXFP8N85X RDS(on) 850m IXFQ8N85X N-Channel Enhancement Mode TO-263HV (IXFA) G S D (Tab) TO-220 (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V VGSS Continuous

 9.1. Size:245K  ixys
ixfa80n25x3 ixfp80n25x3 ixfq80n25x3 ixfh80n25x3.pdfpdf_icon

IXFP8N50PM

Preliminary Technical Information X3-Class HiPerFETTM VDSS = 250V IXFA80N25X3 Power MOSFET ID25 = 80A IXFP80N25X3 RDS(on) 16m IXFQ80N25X3 TO-263 AA (IXFA) IXFH80N25X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G S Fast Intrinsic Diode D (Tab) TO-220AB (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C250D S D (Tab) V TO-3P (IXFQ) VDGR

Другие MOSFET... IXFP4N100QM , IXFP5N100P , IXFP5N50PM , IXFP6N120P , IXFP76N15T2 , IXFP7N100P , IXFP7N80P , IXFP7N80PM , 5N60 , IXFQ10N80P , IXFQ12N80P , IXFQ14N80P , IXFQ22N60P3 , IXFQ24N50P2 , IXFQ28N60P3 , IXFQ50N60P3 , IXFQ60N50P3 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.