IXFQ50N60P3 Todos los transistores

 

IXFQ50N60P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFQ50N60P3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1040 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 94 nC

Tiempo de elevación (tr): 250 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.145 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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IXFQ50N60P3 Datasheet (PDF)

1.1. ixfh50n60x ixfq50n60x ixft50n60x.pdf Size:184K _ixys

IXFQ50N60P3
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Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFT50N60X Power MOSFET ID25 = 50A IXFQ50N60X   RDS(on)    73m     IXFH50N60X N-Channel Enhancement Mode TO-268 (IXFT) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25C to 150C 600 V D VDGR TJ = 25C to 1

3.1. ixft50n50p3 ixfq50n50p3 ixfh50n50p3.pdf Size:139K _update

IXFQ50N60P3
IXFQ50N60P3

Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500V IXFT50N50P3 ID25 = 50A Power MOSFET IXFQ50N50P3   RDS(on)    125m     IXFH50N50P3 N-Channel Enhancement Mode TO-268 (IXFT) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 150C 500 V G VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 V D

 

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