IXFR100N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFR100N25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 87 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
- Selección de transistores por parámetros
IXFR100N25 Datasheet (PDF)
ixfr102n30p.pdf

VDSS = 300 VIXFR 102N30PPolarHTTM HiPerFETID25 = 60 APower MOSFET RDS(on) 36 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VE153432VDGR TJ = 25 C to 1
ixfr10n100f ixfr12n100f.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 12N100F 1000 V 10 A 1.05 ISOPLUS247TMIXFR 10N100F 1000 V 9 A 1.20 F-Class: MegaHertz Switching trr 250 ns (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dV/dtLow Gate Charge and CapacitancesPreliminary Data SheetSymbol
ixfr10n100q ixfr12n100q.pdf

Advanced Technical InformationVDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 12N100Q 1000 V 10 A 1.05 WISOPLUS247TM Q CLASSIXFR 10N100Q 1000 V 9 A 1.20 W(Electrically Isolated Back Surface) trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dV/dtLow Gate Charge and CapacitancesSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TMVDSS TJ = 25C to 150C 1000 V
Otros transistores... IXFQ10N80P , IXFQ12N80P , IXFQ14N80P , IXFQ22N60P3 , IXFQ24N50P2 , IXFQ28N60P3 , IXFQ50N60P3 , IXFQ60N50P3 , MMIS60R580P , IXFR102N30P , IXFR140N20P , IXFR140N30P , IXFR14N100Q2 , IXFR150N15 , IXFR15N100Q3 , IXFR16N120P , IXFR180N06 .
History: IXTP50N28T | 3SK249
History: IXTP50N28T | 3SK249



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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