IXFR24N90P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFR24N90P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFR24N90P

IXFR24N90P Datasheet (PDF)

7.1. Size:94K ixys
ixfr24n80p.pdf

IXFR 24N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 13 APower MOSFET RDS(on) 420 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RG

7.2. Size:112K ixys
ixfr24n100.pdf

HiPerFETTM Power VDSS = 1000VIXFR24N100ID25 = 22AMOSFET RDS(on) 390m ISOPLUS247TMt 250ns(Electrically Isolated Back Surface)rrN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VVGSS Co

7.3. Size:33K ixys
ixfr24n50 ixfr26n50.pdf

Advanced Technical InformationVDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 26N50 500 V 24 A 0.20 WISOPLUS247TMIXFR 24N50 500 V 22 A 0.23 W(Electrically Isolated Back Surface)trr 250 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dV/dt, Low trr, HDMOSTM FamilyISOPLUS 247TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 50

7.4. Size:141K ixys
ixfr24n100q3.pdf

Advance Technical InformationHiperFETTM VDSS = 1000VIXFR24N100Q3Power MOSFET ID25 = 18A Q3-Class RDS(on) 490m trr 300ns(Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic RectifierISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C, R

7.5. Size:78K ixys
ixfr24n50q ixfr26n50q.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 26N50Q 500 V 24 A 0.20 ISOPLUS247TMIXFR 24N50Q 500 V 22 A 0.23 (Electrically Isolated Back Surface) trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeHigh dV/dt, Low t , HDMOSTM FamilyrrSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TME153432VDSS TJ = 25C to 150C

Otros transistores... IXFR18N90P , IXFR200N10P , IXFR20N100P , IXFR20N120P , IXFR20N80P , IXFR21N100Q , IXFR230N20T , IXFR24N80P , IRFB7545 , IXFR24N90Q , IXFR26N100P , IXFR26N120P , IXFR26N60Q , IXFR30N110P , IXFR30N60P , IXFR32N100P , IXFR32N100Q3 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: