IXFR24N90P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFR24N90P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFR24N90P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR24N90P даташит

 7.1. Size:94K  ixys
 ixfr24n80p.pdf pdf_icon

IXFR24N90P

IXFR 24N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 13 A Power MOSFET RDS(on) 420 m (Electrically Isolated Back Surface) trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXFR) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RG

 7.2. Size:112K  ixys
 ixfr24n100.pdf pdf_icon

IXFR24N90P

HiPerFETTM Power VDSS = 1000V IXFR24N100 ID25 = 22A MOSFET RDS(on) 390m ISOPLUS247TM t 250ns (Electrically Isolated Back Surface) rr N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated ISOPLUS247 E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1000 V VGSS Co

 7.3. Size:33K  ixys
 ixfr24n50 ixfr26n50.pdf pdf_icon

IXFR24N90P

Advanced Technical Information VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 26N50 500 V 24 A 0.20 W ISOPLUS247TM IXFR 24N50 500 V 22 A 0.23 W (Electrically Isolated Back Surface) trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dV/dt, Low trr, HDMOSTM Family ISOPLUS 247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 50

 7.4. Size:141K  ixys
 ixfr24n100q3.pdf pdf_icon

IXFR24N90P

Advance Technical Information HiperFETTM VDSS = 1000V IXFR24N100Q3 Power MOSFET ID25 = 18A Q3-Class RDS(on) 490m trr 300ns (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier ISOPLUS247 E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFR18N90P, IXFR200N10P, IXFR20N100P, IXFR20N120P, IXFR20N80P, IXFR21N100Q, IXFR230N20T, IXFR24N80P, EMB04N03H, IXFR24N90Q, IXFR26N100P, IXFR26N120P, IXFR26N60Q, IXFR30N110P, IXFR30N60P, IXFR32N100P, IXFR32N100Q3