IXFR32N100P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFR32N100P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS247

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IXFR32N100P MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXFR32N100P datasheet

 7.1. Size:149K  ixys
 ixfr32n80p.pdf pdf_icon

IXFR32N100P

PolarHVTM HiPerFET VDSS = 800 V IXFR 32N80P ID25 = 20 A Power MOSFET RDS(on) 290 m ISOPLUS247TM trr 250 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXFR) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR T

 7.2. Size:91K  ixys
 ixfr30n50q ixfr32n50q.pdf pdf_icon

IXFR32N100P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM IXFR 30N50Q 500 V 29 A 0.16 W IXFR 32N50Q 500 V 30 A 0.15 W (Electrically Isolated Back Surface) trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dV/dt, Low trr, HDMOSTM Family Preliminary data ISOPLUS 247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings E 153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 500 V

 9.1. Size:59K  ixys
 ixfr34n80.pdf pdf_icon

IXFR32N100P

IXFR 34N80 VDSS = 800 V HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM ID25 = 28 A (Electrically Isolated Backside) RDS(on) = 0.24 trr 250 ns Single MOSFET Die Avalanche Rated Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGS

 9.2. Size:248K  ixys
 ixfc36n50p ixfr36n50p.pdf pdf_icon

IXFR32N100P

IXFC 36N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFR 36N50P ID25 = 19 A Power MOSFET RDS(on) 190 m (Electrically Isolated Back Surface) trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXFR24N80P, IXFR24N90P, IXFR24N90Q, IXFR26N100P, IXFR26N120P, IXFR26N60Q, IXFR30N110P, IXFR30N60P, AO4468, IXFR32N100Q3, IXFR32N80P, IXFR32N80Q3, IXFR34N80, IXFR36N50P, IXFR36N60P, IXFR38N80Q2, IXFR40N50Q2