Справочник MOSFET. IXFR32N100P

 

IXFR32N100P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IXFR32N100P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 320 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 6.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 225 nC

Время нарастания (tr): 300 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.34 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

Аналог (замена) для IXFR32N100P

 

 

IXFR32N100P Datasheet (PDF)

3.1. ixfr30n50q ixfr32n50q.pdf Size:91K _ixys

IXFR32N100P
IXFR32N100P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM IXFR 30N50Q 500 V 29 A 0.16 W IXFR 32N50Q 500 V 30 A 0.15 W (Electrically Isolated Back Surface) trr £ 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dV/dt, Low trr, HDMOSTM Family Preliminary data ISOPLUS 247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings E 153432 VDSS TJ = 25°C to 150°C 500 V VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW 500 V

3.2. ixfr32n80p.pdf Size:149K _ixys

IXFR32N100P
IXFR32N100P

PolarHVTM HiPerFET VDSS = 800 V IXFR 32N80P ID25 = 20 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 290 m? ? ? ? ? ? ? ISOPLUS247TM ? trr ? 250 ns ? ? ? (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXFR) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M? 800

 5.1. ixfc30n60p ixfr30n60p.pdf Size:135K _ixys

IXFR32N100P
IXFR32N100P

IXFC 30N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFR 30N60P ID25 = 15 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 250 m? ? ? ? ? ? ? Electrically Isolated Back Surface ? trr ? 250 ns ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) VDSS TJ = 25C to 150C 600 V E153432 VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M? 600 V VGSS

5.2. ixfr34n80.pdf Size:59K _ixys

IXFR32N100P
IXFR32N100P

IXFR 34N80 VDSS = 800 V HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM ID25 = 28 A (Electrically Isolated Backside) ? RDS(on) = 0.24 ? ? ? ? ? trr ? ? 250 ns ? ? Single MOSFET Die Avalanche Rated Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25C to 150C 800 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M? 800 V VGS Continuous 20 V G VGSM Tra

 5.3. ixfc36n50p ixfr36n50p.pdf Size:248K _ixys

IXFR32N100P
IXFR32N100P

IXFC 36N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFR 36N50P ID25 = 19 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 190 m? ? ? ? ? ? ? (Electrically Isolated Back Surface) ? trr ? 200 ns ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M? 500 V

5.4. ixfr36n60p.pdf Size:144K _ixys

IXFR32N100P
IXFR32N100P

IXFR 36N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 20 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 200 m? ? ? ? ? ? ? (Electrically Isolated Back Surface) ? trr ? 200 ns ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXFR) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M? 600 V VGSS Continu

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top