IXFR34N80 Todos los transistores

 

IXFR34N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFR34N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
 

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IXFR34N80 Datasheet (PDF)

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IXFR34N80

IXFR 34N80 VDSS = 800 VHiPerFETTM Power MOSFETsISOPLUS247TM ID25 = 28 A(Electrically Isolated Backside)RDS(on) = 0.24 trr 250 ns Single MOSFET DieAvalanche RatedPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS

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IXFR34N80

IXFC 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 36N50P ID25 = 19 APower MOSFET RDS(on) 190 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ

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IXFR34N80

IXFR 36N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 20 APower MOSFET RDS(on) 200 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 15

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IXFR34N80

IXFC 30N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 30N60P ID25 = 15 APower MOSFET RDS(on) 250 m Electrically Isolated Back Surfacetrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeFast Recovery DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VE153432VDGR TJ = 25C to

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History: BUK7M3R3-40H | 2SK3511-ZJ

 

 
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