IXFR34N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXFR34N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 270 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUS247
IXFR34N80 Datasheet (PDF)
ixfr34n80.pdf

IXFR 34N80 VDSS = 800 VHiPerFETTM Power MOSFETsISOPLUS247TM ID25 = 28 A(Electrically Isolated Backside)RDS(on) = 0.24 trr 250 ns Single MOSFET DieAvalanche RatedPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS
ixfc36n50p ixfr36n50p.pdf

IXFC 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 36N50P ID25 = 19 APower MOSFET RDS(on) 190 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ
ixfr36n60p.pdf

IXFR 36N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 20 APower MOSFET RDS(on) 200 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 15
ixfc30n60p ixfr30n60p.pdf

IXFC 30N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 30N60P ID25 = 15 APower MOSFET RDS(on) 250 m Electrically Isolated Back Surfacetrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeFast Recovery DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VE153432VDGR TJ = 25C to
Другие MOSFET... IXFR26N120P , IXFR26N60Q , IXFR30N110P , IXFR30N60P , IXFR32N100P , IXFR32N100Q3 , IXFR32N80P , IXFR32N80Q3 , IRF740 , IXFR36N50P , IXFR36N60P , IXFR38N80Q2 , IXFR40N50Q2 , IXFR40N90P , IXFR44N50P , IXFR44N50Q , IXFR44N60 .
History: SGSP479
History: SGSP479



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
Popular searches
2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda