IXFR34N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXFR34N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 250 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUS247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IXFR34N80 Datasheet (PDF)
ixfr34n80.pdf

IXFR 34N80 VDSS = 800 VHiPerFETTM Power MOSFETsISOPLUS247TM ID25 = 28 A(Electrically Isolated Backside)RDS(on) = 0.24 trr 250 ns Single MOSFET DieAvalanche RatedPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS
ixfc36n50p ixfr36n50p.pdf

IXFC 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 36N50P ID25 = 19 APower MOSFET RDS(on) 190 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ
ixfr36n60p.pdf

IXFR 36N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 20 APower MOSFET RDS(on) 200 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 15
ixfc30n60p ixfr30n60p.pdf

IXFC 30N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 30N60P ID25 = 15 APower MOSFET RDS(on) 250 m Electrically Isolated Back Surfacetrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeFast Recovery DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VE153432VDGR TJ = 25C to
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IRF8302MPBF | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | NTP22N06 | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV
History: IRF8302MPBF | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | NTP22N06 | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda