IXFR34N80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFR34N80  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFR34N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR34N80 даташит

 ..1. Size:59K  ixys
 ixfr34n80.pdf pdf_icon

IXFR34N80

IXFR 34N80 VDSS = 800 V HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM ID25 = 28 A (Electrically Isolated Backside) RDS(on) = 0.24 trr 250 ns Single MOSFET Die Avalanche Rated Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGS

 9.1. Size:248K  ixys
 ixfc36n50p ixfr36n50p.pdf pdf_icon

IXFR34N80

IXFC 36N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFR 36N50P ID25 = 19 A Power MOSFET RDS(on) 190 m (Electrically Isolated Back Surface) trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ

 9.2. Size:144K  ixys
 ixfr36n60p.pdf pdf_icon

IXFR34N80

IXFR 36N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 20 A Power MOSFET RDS(on) 200 m (Electrically Isolated Back Surface) trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXFR) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 15

 9.3. Size:135K  ixys
 ixfc30n60p ixfr30n60p.pdf pdf_icon

IXFR34N80

IXFC 30N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFR 30N60P ID25 = 15 A Power MOSFET RDS(on) 250 m Electrically Isolated Back Surface trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V E153432 VDGR TJ = 25 C to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFR26N120P, IXFR26N60Q, IXFR30N110P, IXFR30N60P, IXFR32N100P, IXFR32N100Q3, IXFR32N80P, IXFR32N80Q3, IRF740, IXFR36N50P, IXFR36N60P, IXFR38N80Q2, IXFR40N50Q2, IXFR40N90P, IXFR44N50P, IXFR44N50Q, IXFR44N60