3SK100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3SK100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.02 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3SK100
Principales características: 3SK100
Otros transistores... 3N211 , 3N212 , 3N213 , 3N242 , 3N323 , 3N324 , 3N325 , 3N325A , CS150N03A8 , 3SK101 , 3SK102 , 3SK103 , 3SK104 , 3SK104V , 3SK107 , 3SK107E , 3SK107F .
History: E630 | SSH40N20A | CEH2313 | H5N3005LM | SSD20P06-135D | SSH4N80AS | CEH2321
History: E630 | SSH40N20A | CEH2313 | H5N3005LM | SSD20P06-135D | SSH4N80AS | CEH2321
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
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