IXFR66N50Q2 Todos los transistores

 

IXFR66N50Q2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFR66N50Q2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 500 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5.5 V

Carga de compuerta (Qg): 200 nC

Tiempo de elevación (tr): 250 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.085 Ohm

Empaquetado / Estuche: ISOPLUS247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFR66N50Q2

 

IXFR66N50Q2 Datasheet (PDF)

5.1. ixfr64n50p.pdf Size:143K _ixys

IXFR66N50Q2
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IXFR 64N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 35 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 95 m? ? ? ? ? ? ? ISOPLUS247TM ? trr ? 200 ns ? ? ? (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXFR) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M? 500 V

5.2. ixfr64n60p.pdf Size:151K _ixys

IXFR66N50Q2
IXFR66N50Q2

VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFR 64N60P ID25 = 36 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 105 m? ? ? ? ? ? ? ? trr ? 200 ns ? ? ? (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode ISOPLUS247 (IXFR) E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M? 600 V VGSS Continu

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