Справочник MOSFET. IXFR66N50Q2

 

IXFR66N50Q2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFR66N50Q2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR66N50Q2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:151K  ixys
 ixfr64n60p.pdf pdf_icon

IXFR66N50Q2

VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFET IXFR 64N60PID25 = 36 APower MOSFET RDS(on) 105 m trr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISOPLUS247 (IXFR)E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 15

 9.2. Size:143K  ixys
 ixfr64n50p.pdf pdf_icon

IXFR66N50Q2

IXFR 64N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 35 APower MOSFET RDS(on) 95 m ISOPLUS247TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQN1N50C | WSP4812 | IRFR9120 | FQI15P12TU | FDS9400A | WMB115N15HG4 | SML40M42BFN

 

 
Back to Top

 


 
.