IXFR66N50Q2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFR66N50Q2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFR66N50Q2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR66N50Q2 даташит

 9.1. Size:151K  ixys
 ixfr64n60p.pdf pdf_icon

IXFR66N50Q2

VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFR 64N60P ID25 = 36 A Power MOSFET RDS(on) 105 m trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode ISOPLUS247 (IXFR) E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 15

 9.2. Size:143K  ixys
 ixfr64n50p.pdf pdf_icon

IXFR66N50Q2

IXFR 64N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 35 A Power MOSFET RDS(on) 95 m ISOPLUS247TM trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXFR) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ

Другие IGBT... IXFR48N50Q, IXFR48N60P, IXFR48N60Q3, IXFR4N100Q, IXFR64N50P, IXFR64N50Q3, IXFR64N60P, IXFR64N60Q3, AON6414A, IXFR70N15, IXFR80N15Q, IXFR80N50P, IXFR80N50Q3, IXFR80N60P3, IXFR90N30, IXFT120N15P, IXFT12N100F