Справочник MOSFET. IXFR66N50Q2

 

IXFR66N50Q2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFR66N50Q2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
 

 Аналог (замена) для IXFR66N50Q2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR66N50Q2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:151K  ixys
 ixfr64n60p.pdf pdf_icon

IXFR66N50Q2

VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFET IXFR 64N60PID25 = 36 APower MOSFET RDS(on) 105 m trr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISOPLUS247 (IXFR)E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 15

 9.2. Size:143K  ixys
 ixfr64n50p.pdf pdf_icon

IXFR66N50Q2

IXFR 64N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 35 APower MOSFET RDS(on) 95 m ISOPLUS247TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ

Другие MOSFET... IXFR48N50Q , IXFR48N60P , IXFR48N60Q3 , IXFR4N100Q , IXFR64N50P , IXFR64N50Q3 , IXFR64N60P , IXFR64N60Q3 , IRFB4110 , IXFR70N15 , IXFR80N15Q , IXFR80N50P , IXFR80N50Q3 , IXFR80N60P3 , IXFR90N30 , IXFT120N15P , IXFT12N100F .

History: MTM60N06 | ZXM64N035L3 | ZXMN2A02N8 | STS3N95K3 | TK3P50D

 

 
Back to Top

 


 
.