IXFR80N60P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFR80N60P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 540 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFR80N60P3

IXFR80N60P3 Datasheet (PDF)

7.1. Size:149K ixys
ixfr80n50p.pdf

PolarHVTM HiPerFETIXFR 80N50P VDSS = 500 VPower MOSFETID25 = 45 A ISOPLUS247TM RDS(on) 72 mtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VISOPLUS247 (IXFR)VDGR TJ = 25 C to

7.2. Size:37K ixys
ixfr80n10q.pdf

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 80N10Q VDSS = 100 VISOPLUS247TM, Q-ClassID25 = 76 A(Electrically Isolated Back Surface)RDS(on) = 15 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TME153432VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 VVGS Cont

7.3. Size:34K ixys
ixfr80n20q.pdf

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 80N20Q VDSS = 200 VISOPLUS247TM, Q-ClassID25 = 71 A(Electrically Isolated Back Surface)RDS(on) = 28mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TME153432VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 VVGS Continuous

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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