IXFR80N60P3 Todos los transistores

 

IXFR80N60P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFR80N60P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 540 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFR80N60P3

 

IXFR80N60P3 Datasheet (PDF)

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IXFR80N60P3

PolarHVTM HiPerFET IXFR 80N50P VDSS = 500 V Power MOSFET ID25 = 45 A ISOPLUS247TM RDS(on) 72 m trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V ISOPLUS247 (IXFR) VDGR TJ = 25 C to

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IXFR80N60P3

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 80N10Q VDSS = 100 V ISOPLUS247TM, Q-Class ID25 = 76 A (Electrically Isolated Back Surface) RDS(on) = 15 mW N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 100 V VGS Cont

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 ixfr80n20q.pdf pdf_icon

IXFR80N60P3

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 80N20Q VDSS = 200 V ISOPLUS247TM, Q-Class ID25 = 71 A (Electrically Isolated Back Surface) RDS(on) = 28mW N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V VGS Continuous

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