IXFR80N60P3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXFR80N60P3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUS247
Аналог (замена) для IXFR80N60P3
IXFR80N60P3 Datasheet (PDF)
ixfr80n50p.pdf

PolarHVTM HiPerFETIXFR 80N50P VDSS = 500 VPower MOSFETID25 = 45 A ISOPLUS247TM RDS(on) 72 mtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VISOPLUS247 (IXFR)VDGR TJ = 25 C to
ixfr80n10q.pdf

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 80N10Q VDSS = 100 VISOPLUS247TM, Q-ClassID25 = 76 A(Electrically Isolated Back Surface)RDS(on) = 15 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TME153432VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 VVGS Cont
ixfr80n20q.pdf

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 80N20Q VDSS = 200 VISOPLUS247TM, Q-ClassID25 = 71 A(Electrically Isolated Back Surface)RDS(on) = 28mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TME153432VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 VVGS Continuous
Другие MOSFET... IXFR64N50Q3 , IXFR64N60P , IXFR64N60Q3 , IXFR66N50Q2 , IXFR70N15 , IXFR80N15Q , IXFR80N50P , IXFR80N50Q3 , AON7408 , IXFR90N30 , IXFT120N15P , IXFT12N100F , IXFT12N50F , IXFT12N90Q , IXFT13N100 , IXFT140N10P , IXFT14N80P .
History: IRFR4510PBF | APT20M45BVFR | STU7N80K5 | 6N65KG-TN3-R | IRFR430APBF | CS8N60P | IXTC62N15P
History: IRFR4510PBF | APT20M45BVFR | STU7N80K5 | 6N65KG-TN3-R | IRFR430APBF | CS8N60P | IXTC62N15P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor